IXFN82N60Q3

IXYS | 场效应管模块

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

原厂封装：SOT-227B

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IXYS公司完整型号：IXFN82N60Q3

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

系列：HiPerFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：66A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 41A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 8mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：275nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13500pF @ 25V

功率 - 最大值：960W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

供应商器件封装：SOT-227B

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IXFN82N60Q3供应商-耐智电子

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