IXFT18N100Q3

IXYS | 单端场效应管

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

原厂封装：TO-268

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IXYS公司完整型号：IXFT18N100Q3

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

系列：HiPerFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：660 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 4mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：90nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4890pF @ 25V

功率 - 最大值：830W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA

供应商器件封装：TO-268

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