IXFV18N60P

IXYS | 单端场效应管

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220

原厂封装：PLUS220

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IXYS公司完整型号：IXFV18N60P

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220

系列：HiPerFET， PolarHT

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2500pF @ 25V

功率 - 最大值：360W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3（SMT）标片

供应商器件封装：PLUS220

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