IXFX66N50Q2

IXYS | 单端场效应管

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247

原厂封装：PLUS247-3

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IXYS公司完整型号：IXFX66N50Q2

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247

系列：HiPerFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：500V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：66A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 8mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：200nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9125pF @ 25V

功率 - 最大值：735W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：PLUS247-3

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