IXTA1N200P3HV

IXYS | FET - 单

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

原厂封装：TO-263-3，D2Pak

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IXYS公司完整型号: IXTA1N200P3HV

制造厂家名称: IXYS

功能总体简述: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 2000V（2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 40 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 23.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 646pF @ 25V

功率 - 最大值: 125W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装: TO-263（IXTA）

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