IXTA1R6N100D2

IXYS | 单端场效应管

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

原厂封装：TO-263

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IXYS公司完整型号：IXTA1R6N100D2

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.6A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 800mA，0V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：645pF @ 25V

功率 - 最大值：100W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263 （IXTA）

耐智电子是国内领先的IXTA1R6N100D2供应商

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