IXTP8N65X2M

IXYS | FET - 单

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220

原厂封装：TO-220-3

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IXYS公司完整型号: IXTP8N65X2M

制造厂家名称: IXYS

功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 550 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 800pF @ 25V

功率 - 最大值: 32W

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220

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IXTP8N65X2M供应商-耐智电子

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