IXTY1R4N60P

IXYS | 单端场效应管

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

原厂封装：TO-252

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IXYS公司完整型号：IXTY1R4N60P

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

系列：PolarHV?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.4A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9 欧姆 @ 700mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：140pF @ 25V

功率 - 最大值：50W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

耐智电子是国内领先的IXTY1R4N60P供应商

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