2N7002DW H6327

Infineon | 场效应管阵列

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

原厂封装：PG-SOT363-6

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Infineon英飞凌公司完整型号：2N7002DW H6327

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

系列：OptiMOS?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：300mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：20pF @ 25V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：PG-SOT363-6

耐智电子是国内领先的2N7002DW H6327供应商

2N7002DW H6327供应商-耐智电子

Infineon

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