2N7002H6327XTSA2

Infineon | FET - 单

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT363

原厂封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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Infineon英飞凌公司完整型号: 2N7002H6327XTSA2

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT363

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 300mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 3 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 0.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 20pF @ 25V

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装: PG-SOT23-3

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2N7002H6327XTSA2供应商-耐智电子

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