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BSC160N10NS3 G代理

BSC160N10NS3 G

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8
原厂封装:PG-TDSON-8
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSC160N10NS3 G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.8A(Ta),42A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 33A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 33μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1700pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:60W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:PG-TDSON-8
  • 耐智电子是国内领先的BSC160N10NS3 G供应商
  • BSC160N10NS3 G供应商-耐智电子
  • Infineon
    BSC152N10NSF G
  • Infineon
    BSC123N08NS3 G
  • 阵列﹐预偏压式晶体管
    BCR 22PN E6433
  • 单端场效应管
    IPP47N10SL-26
  • EMI-RFI 滤波器(LC,RC 网络)
    BGF 112 E6328
  • 单端场效应管
    BSS159N E6327
  • BSC160N10NS3 G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供BSC160N10NS3 G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的BSC160N10NS3 G供应商。

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