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BSO150N03MD G代理

BSO150N03MD G

Infineon | 场效应管阵列
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
原厂封装:PG-DSO-8
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSO150N03MD G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):15 毫欧 @ 9.3A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.4W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:PG-DSO-8
  • 耐智电子是国内领先的BSO150N03MD G供应商
  • BSO150N03MD G供应商-耐智电子
  • Infineon
    BSO130P03S H
  • Infineon
    BSO110N03MS G
  • 霍尔效应磁性传感器IC
    TLE4976-1H
  • 单端场效应管
    IPP070N06N G
  • 线性稳压器芯片
    TLE4276G V50
  • 单二极管整流器
    SIDC42D120F6
  • BSO150N03MD G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供BSO150N03MD G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的BSO150N03MD G供应商。

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