BSO211P H

Infineon | 场效应管阵列

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

原厂封装：PG-DSO-8

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Infineon英飞凌公司完整型号：BSO211P H

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

系列：OptiMOS?

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：67 毫欧 @ 4.6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1095pF @ 15V

功率 - 最大值：1.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：PG-DSO-8

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