BSO612CV G

Infineon | 场效应管阵列

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

原厂封装：PG-DSO-8

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Infineon英飞凌公司完整型号：BSO612CV G

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

系列：SIPMOS

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A，2A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：340pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：PG-DSO-8

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