BSO615N G

Infineon | 场效应管阵列

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

原厂封装：PG-DSO-8

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Infineon英飞凌公司完整型号：BSO615N G

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

系列：SIPMOS

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 2.6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：PG-DSO-8

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