BSP135 L6433

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

原厂封装：PG-SOT223-4

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Infineon英飞凌公司完整型号：BSP135 L6433

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

系列：SIPMOS

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 欧姆 @ 120mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 94μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.9nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：146pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：PG-SOT223-4

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