BSS119NH6327XTSA1

Infineon | FET - 单

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

原厂封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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Infineon英飞凌公司完整型号: BSS119NH6327XTSA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 190mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 6 欧姆 @ 190mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 13μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 0.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 20.9pF @ 25V

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装: PG-SOT23-3

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