BSS806N L6327

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

原厂封装：PG-SOT23-3

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Infineon英飞凌公司完整型号：BSS806N L6327

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：57 毫欧 @ 2.3A，2.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 11μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.7nC @ 2.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：529pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：PG-SOT23-3

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BSS806N L6327供应商-耐智电子

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