BSZ097N10NS5ATMA1

Infineon | FET - 单

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

原厂封装：8-PowerTDFN

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Infineon英飞凌公司完整型号: BSZ097N10NS5ATMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8A（Ta），40A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 9.7 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.8V @ 36μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 28nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2080pF @ 50V

功率 - 最大值: 2.1W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL (3.3x3.3)

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