BUZ31L H

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3

原厂封装：PG-TO220-3

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Infineon英飞凌公司完整型号：BUZ31L H

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3

系列：SIPMOS

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 7A，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1600pF @ 25V

功率 - 最大值：95W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：PG-TO220-3

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