IPB26CNE8N G

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

原厂封装：PG-TO-263

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Infineon英飞凌公司完整型号：IPB26CNE8N G

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：85V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：35A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：26 毫欧 @ 35A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 39μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2070pF @ 40V

功率 - 最大值：71W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：PG-TO-263

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