IPB65R190C6

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263

原厂封装：PG-TO263

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Infineon英飞凌公司完整型号：IPB65R190C6

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263

系列：CoolMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 7.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 730μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：73nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1620pF @ 100V

功率 - 最大值：151W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：PG-TO263

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