IPD053N06N_IPD053N06N供应商_Infineon代理商耐智电子

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Infineon英飞凌公司完整型号：IPD053N06N

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Ta），45A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.3 毫欧 @ 45A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 36μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2000pF @ 30V

功率 - 最大值：3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252-3

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IPD053N06N供应商-耐智电子

Infineon

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