IPD26N06S2L35ATMA2

Infineon | FET - 单

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

原厂封装：TO-252-3，DPak

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Infineon英飞凌公司完整型号: IPD26N06S2L35ATMA2

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 35 毫欧 @ 13A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 26μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 24nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 621pF @ 25V

功率 - 最大值: 68W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3-11

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IPD26N06S2L35ATMA2供应商-耐智电子

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