IPD65R600E6ATMA1

Infineon | FET - 单

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

原厂封装：TO-252-3，DPak

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Infineon英飞凌公司完整型号: IPD65R600E6ATMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

系列: CoolMOS E6

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7.3A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 600 毫欧 @ 2.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 210μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 23nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 440pF @ 100V

功率 - 最大值: 63W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

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