IPI12CNE8N G

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

原厂封装：PG-TO262-3

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Infineon英飞凌公司完整型号：IPI12CNE8N G

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：85V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：67A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.6 毫欧 @ 67A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 83μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：64nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4340pF @ 40V

功率 - 最大值：125W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：PG-TO262-3

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