IPL60R650P6SATMA1

Infineon | FET - 单

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

原厂封装：8-PowerTDFN

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Infineon英飞凌公司完整型号: IPL60R650P6SATMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

系列: CoolMOS P6

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 6.7A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 650 毫欧 @ 2.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 200μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 557pF @ 100V

功率 - 最大值: 56.8W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-ThinPak (5x6)

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