SPB35N10 G

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

原厂封装：P-TO263-3

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Infineon英飞凌公司完整型号：SPB35N10 G

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

系列：SIPMOS

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：35A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 26.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 83μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：65nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1570pF @ 25V

功率 - 最大值：150W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：P-TO263-3

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