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耐智电子是中国领先的MT29F1G16ABBEAH4:E TR供应商,多年从事MT29F1G16ABBEAH4:E TR的代理销售业务,为您购买MT29F1G16ABBEAH4:E TR提供帮助。
MT29F1G16ABBEAH4:E TR
Micron | 存储器芯片
制造厂商:
Micron
(美光半导体)
功能简述:
IC FLASH 1GBIT VFBGA
原厂封装:
63-VFBGA
MT29F1G16ABBEAH4:E TR一手货源 + 极具竞争力的价格 + 大小批量出货
下载MT29F1G16ABBEAH4:E TR技术资料
耐智电子为您提供MT29F1G16ABBEAH4:E TR的火速报价及代理采购等服务
Micron美光半导体完整型号:MT29F1G16ABBEAH4:E TR
制造厂家名称:Micron Technology Inc
描述:IC FLASH 1GBIT VFBGA
系列:-
格式 - 存储器:闪存
存储器类型:闪存 - NAND
存储容量:1G(64M x 16)
速度:-
接口:并联
电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V
工作温度:0°C ~ 70°C
封装/外壳:63-VFBGA
供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
耐智电子是国内领先的MT29F1G16ABBEAH4:E TR供应商
MT29F1G16ABBEAH4:E TR供应商-耐智电子
MT29F4G16ABBDAHC-IT:
Micron
MT29F256G08CJAABWP-1
Micron
MT4VDDT3264HIY-335J1
存储器 - 模块
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
存储器芯片
MT46V16M8P-6TL:DTR
存储器芯片
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR
存储器芯片
MT29F1G16ABBEAH4:E TR
是Micron美光半导体公司的一款产品,Micron代理商耐智电子全程提供MT29F1G16ABBEAH4:E TR现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的MT29F1G16ABBEAH4:E TR供应商。
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