MT49H64M9SJ-25E:B TR

Micron | 存储器

制造厂商：Micron（美光半导体）

功能简述：IC RLDRAM 576MBIT 2.5NS UBGA

原厂封装：144-TFBGA

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Micron美光半导体完整型号: MT49H64M9SJ-25E:B TR

制造厂家名称: Micron Technology Inc.

功能总体简述: IC RLDRAM 576MBIT 2.5NS UBGA

系列: -

格式 - 存储器: RAM

存储器类型: RLDRAM 2

存储容量: 576M（64M x 9）

速度: 2.5ns

接口: 并联

电压 - 电源: 1.7 V ~ 1.9 V

工作温度: 0°C ~ 95°C

封装/外壳: 144-TFBGA

供应商器件封装: 144-μBGA（18.5x11）

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MT49H64M9SJ-25E:B TR供应商-耐智电子

Micron

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存储器芯片

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