APT1003RBLLG

Microsemi | 单端场效应管

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

原厂封装：TO-247

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Microsemi美高森美完整型号：APT1003RBLLG

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

系列：POWER MOS 7

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：694pF @ 25V

功率 - 最大值：139W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247 [B]

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