APT102GA60B2

Microsemi | 单路IGBT

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：IGBT 600V 183A 780W TO247

原厂封装：原厂封装

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Microsemi美高森美完整型号：APT102GA60B2

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT 600V 183A 780W TO247

系列：POWER MOS 8?

IGBT 类型：PT

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：183A

Current - Collector Pulsed (Icm)：307A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.5V @ 15V，62A

功率 - 最大值：780W

Switching Energy：1.354mJ （开）, 1.614mJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：294nC

25°C 时 Td（开/关）值：28ns/212ns

Test Condition：400V, 62A, 4.7 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-247-3 变式

安装类型：通孔

供应商器件封装：*

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APT102GA60B2供应商-耐智电子

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