APT40GP60B2DQ2G

Microsemi | 单路IGBT

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：IGBT 600V 100A 543W TMAX

原厂封装：原厂封装

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Microsemi美高森美完整型号：APT40GP60B2DQ2G

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT 600V 100A 543W TMAX

系列：POWER MOS 7

IGBT 类型：PT

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100A

Current - Collector Pulsed (Icm)：160A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，40A

功率 - 最大值：543W

Switching Energy：385μJ （开）， 350μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：135nC

25°C 时 Td（开/关）值：20ns/64ns

Test Condition：400V, 40A, 5 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-247-3 变式

安装类型：通孔

供应商器件封装：*

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