APT65GP60L2DQ2G

Microsemi | 单路IGBT

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：IGBT 600V 198A 833W TO264

原厂封装：原厂封装

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Microsemi美高森美完整型号：APT65GP60L2DQ2G

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT 600V 198A 833W TO264

系列：POWER MOS 7

IGBT 类型：PT

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：198A

Current - Collector Pulsed (Icm)：250A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A

功率 - 最大值：833W

Switching Energy：605μJ （开）， 895μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：210nC

25°C 时 Td（开/关）值：30ns/90ns

Test Condition：400V, 65A, 5 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA

安装类型：通孔

供应商器件封装：*

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