APT66M60B2

Microsemi | 单端场效应管

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

原厂封装：T-MAX

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Microsemi美高森美完整型号：APT66M60B2

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：70A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 33A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：330nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13190pF @ 25V

功率 - 最大值：1135W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3 变式

供应商器件封装：T-MAX [B2]

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