APT80F60J

Microsemi | 场效应管模块

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

原厂封装：ISOTOP

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Microsemi美高森美完整型号：APT80F60J

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

系列：POWER MOS 8?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：84A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：598nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：23994pF @ 25V

功率 - 最大值：961W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

供应商器件封装：ISOTOP

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