APTCV50H60T3G

Microsemi | IGBT模块

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3

原厂封装：SP3

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Microsemi美高森美完整型号：APTCV50H60T3G

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3

系列：-

IGBT 类型：NPT，沟道和场截止

配置：全桥

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A

功率 - 最大值：176W

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 15V，50A

电流 - 集电极截止（最大值）：250μA

不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：3.15nF @ 25V

输入：标准

NTC 热敏电阻：是

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP3

供应商器件封装：SP3

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