APTGT35H120T1G

Microsemi | IGBT模块

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

原厂封装：SP1

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Microsemi美高森美完整型号：APTGT35H120T1G

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

配置：全桥反相器

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：55A

功率 - 最大值：208W

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.1V @ 15V，35A

电流 - 集电极截止（最大值）：250μA

不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：2.5nF @ 25V

输入：标准

NTC 热敏电阻：是

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP1

供应商器件封装：SP1

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