APTM120DA56T1G

Microsemi | 场效应管模块

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

原厂封装：SP1

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Microsemi美高森美完整型号：APTM120DA56T1G

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：672 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：300nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7736pF @ 25V

功率 - 最大值：390W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP1

供应商器件封装：SP1

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APTM120DA56T1G供应商-耐智电子

Microsemi

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