APTM120H140FT1G

Microsemi | 场效应管模块

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

原厂封装：SP1

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Microsemi美高森美完整型号：APTM120H140FT1G

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

系列：-

FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.68 欧姆 @ 7A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：145nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3812pF @ 25V

功率 - 最大值：208W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP1

供应商器件封装：SP1

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APTM120H140FT1G供应商-耐智电子

Microsemi

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