APTM20TDUM16PG

Microsemi | 场效应管模块

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P

原厂封装：SP6-P

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Microsemi美高森美完整型号：APTM20TDUM16PG

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P

系列：-

FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：104A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 52A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：140nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7220pF @ 25V

功率 - 最大值：390W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP6

供应商器件封装：SP6-P

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APTM20TDUM16PG供应商-耐智电子

Microsemi

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嵌入式片上系统芯片

FPGA（现场可编程门阵列）

二极管TVS

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