BLS6G3135S-120,112

NXP | RF场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：TRANS S-BAND RADAR LDMSO SOT502B

原厂封装：SOT502B

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NXP恩智浦完整型号：BLS6G3135S-120,112

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：TRANS S-BAND RADAR LDMSO SOT502B

系列：-

晶体管类型：LDMOS

频率：3.1GHz ~ 3.5GHz

增益：11dB

电压 - 测试：32V

额定电流：7.2A

噪声系数：-

电流 - 测试：100mA

功率 - 输出：120W

电压 - 额定：60V

封装/外壳：SOT-502B

供应商器件封装：SOT502B

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NXP

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