BUK7K5R6-30E,115

NXP | 场效应管阵列

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D

原厂封装：LFPAK56D

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NXP恩智浦完整型号：BUK7K5R6-30E,115

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D

系列：TrenchMOS?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29.7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1969pF @ 25V

功率 - 最大值：64W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-1205， 8-LFPAK56

供应商器件封装：LFPAK56D

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BUK7K5R6-30E,115供应商-耐智电子

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