BUK9MJT-55PRF,518

NXP | 场效应管阵列

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC

原厂封装：20-SO

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NXP恩智浦完整型号：BUK9MJT-55PRF,518

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：55V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13.8 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

供应商器件封装：20-SO

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BUK9MJT-55PRF,518供应商-耐智电子

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