PHB145NQ06T,118

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

原厂封装：D2PAK

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NXP恩智浦完整型号：PHB145NQ06T,118

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：55V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：75A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：64.7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3825pF @ 25V

功率 - 最大值：250W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

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