PHB55N03LTA,118_PHB55N03LTA,118供应商

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NXP恩智浦完整型号：PHB55N03LTA,118

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：55A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：950pF @ 25V

功率 - 最大值：85W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

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NXP

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单端场效应管

单齐纳二极管

变换器芯片

信号开关，多路复用器，解码器芯片

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