PHC21025,118

NXP | 场效应管阵列

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

原厂封装：8-SO

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NXP恩智浦完整型号：PHC21025,118

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.5A，2.3A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 2.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 20V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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