PHD38N02LT,118_PHD38N02LT,118供应商

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NXP恩智浦完整型号：PHD38N02LT,118

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：44.7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 25A，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.1nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 20V

功率 - 最大值：57.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK

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