PHT8N06LT,135

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223

原厂封装：SC-73

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NXP恩智浦完整型号：PHT8N06LT,135

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：55V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 5A，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.2nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：650pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：SC-73

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PHT8N06LT,135供应商-耐智电子

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