PMBFJ176,215

NXP | JFET结点场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：JFET P-CH 30V 300MW SOT23

原厂封装：SOT-23

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NXP恩智浦完整型号：PMBFJ176,215

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：JFET P-CH 30V 300MW SOT23

系列：-

FET 类型：P 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V

漏源极电压 (Vdss)：30V

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：2mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 10nA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS（开）：250 欧姆

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23 (TO-236AB)

功率 - 最大值：300mW

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PMBFJ176,215供应商-耐智电子

NXP

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